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Pressemitteilung / News von MSC GmbH / Gleichmann Electronics
News / Pressemitteilung: PowerMOSFETs mit 100 V Durchbruchspannung
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| PowerMOSFETs mit 100 V Durchbruchspannung | ||||
Beitrag von: [Redaktion www.embedded-pc.info] | ||||
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Erscheinungsdatum: 03. Juli 2009 14:52
(Embedded-PC.info) - Eichenau, den 03. Juli 2009
Geringe RDS(on) Werte von 41 bzw. 27 m?, eine hohe Durchbruchspannung von 100 V, ein Gateladung von lediglich 72 nC sowie eine niedrige Eingangskapazität von 3500 pF sind die Eigenschaften von NEC Electronics Europe speziell für Anwendungen im Automobilbereich entwickelten PowerMOSFETs NP28N10SDE und NP36N10SDE.Mit den Bauteilen lassen sich
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Für Industrie Anwendungen, die eine hohe Spannungsfestigkeit erfordern
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| »Bild in Originalgröße |
Erhältlich sind die Bausteine ab sofort in Musterstückzahlen bei Gleichmann Electronics.
Die neuen Mitglieder der PowerMOSFET NP-Serie sind in einem TO-252 (DPAK)-Gehäuse untergebracht, nach AEC-Q101 qualifiziert und unterstützen eine Kanaltemperatur bis zu 175 °C. RoHS Konformität ist durch verzinnte Anschlüsse vollständig erfüllt.
Autor:
Verfasst von Agentur: [Redaktion www.embedded-pc.info]
Kontaktinformationen vom Anbieter:
Firma: MSC GmbH / Gleichmann Electronics
Email: tgo@msc-ge.com
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